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A empresa de investimentos KMIB News (via fudzilla) relata que o rendimento de 80% da TSMC na produção de chips de 4 nm supera os 75% da Samsung Foundry. O rendimento é a porcentagem de matrizes em um wafer de silício que atende ao controle de qualidade. Enquanto o rendimento da TSMC supera o Samsung Foundry em 4nm, é uma história diferente no atual nó de 3nm de ponta, onde o rendimento da Samsung é de 60% em comparação com 55% para o TSMC.
Acredita-se que 90% da produção de 3 nm da TSMC seja dedicada à Apple para o A17 Bionic SoC deste último. O chipset será empregado pelo iPhone 15 Pro e iPhone 15 Pro Max ainda este ano e esses telefones provavelmente serão os únicos aparelhos principais lançados em 2023 a serem alimentados por um processador de aplicativos de 3nm. O A17 Bionic deve ser mais poderoso e eficiente em termos de energia do que o chipset A16 Bionic de 4 nm, graças aos transistores adicionais que o tamanho menor do nó de 3 nm permite.
Se o rendimento de 3 nm da Samsung Foundry continuar a superar o rendimento de 3 nm da TSMC, a empresa poderá recuperar alguns dos negócios que perdeu quando seu rendimento de 4 nm foi decepcionante de 35% no início de 2022, em comparação com os 70% da TSMC. Um grande cliente da Samsung Foundry que mudou na época foi a Qualcomm, que contava com a Samsung para produzir o Snapdragon 8 Gen 1. O designer de chips fabless de San Diego mudou para a TSMC para o Snapdragon 8+ Gen 1 e o Snapdragon 8 Gen 2. Todos os três chips foram produzidos no nó de processo de 4 nm.
Gate-all-around é usado pela Samsung em sua produção de chips de 3 nm
Embora a TSMC faça o Snapdragon 8 Gen 3 de acordo com o boato, para o Snapdragon 8 Gen 4, que deve ser anunciado no final do próximo ano, a Qualcomm pode considerar uma estratégia de fornecimento duplo que resultaria na Samsung Foundry e TSMC produzindo o Snapdragon 8 Gen 4. Da mesma forma, TSMC e Samsung compartilharam a produção do chip A9 que alimentou o iPhone 6s e iPhone 6s Plus em 2015. A variante do TSMC foi produzida usando seu nó de 16nm.
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A TSMC e a Samsung usam tecnologias diferentes para seus nós de 3nm. A Samsung usa gate-all-around (GAA) que permite que o gate entre em contato com o canal em todos os quatro lados. Isso permite menos vazamento de corrente e maior corrente de acionamento. Os sinais elétricos que passam pelos transistores são superiores, resultando em melhor desempenho do chip. O TSMC ainda usa a tecnologia de transistor FinFET para 3nm, o que permite que o portão entre em contato com o canal em três lados. O TSMC mudará para GAA para seu nó de 2nm. Por enquanto, a produção de 3 nm da Samsung pode ser considerada tecnologicamente superior.
Ainda não está claro se a Samsung fará outra mudança com o SoC que usará em sua linha principal. A linha Galaxy S23 foi alimentada pelo Snapdragon 8 Gen 2 para Galaxy em todos os mercados. Mas com a expectativa de que a Samsung produza o Exynos 2400 deca-core, pudemos ver a Sammy retornar à sua antiga estratégia de alimentar seus principais telefones com seus chips Exynos mais recentes em todas as regiões, exceto nos EUA e na China. Nesses dois mercados, esperamos ver o Snapdragon 8 Gen 3 sob o capô.
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