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A Samsung disse na terça-feira que verificou a velocidade de 8,5 GB por segundo (Gbps) de sua DRAM LPDDR5X de 14 nanômetros (nm) na plataforma Snapdragon da Qualcomm.
A DRAM usada para o teste foi um pacote de 8 GB feito com o processo ultravioleta extremo (EUV) da empresa com a mais recente plataforma Snapdragon da Qualcomm.
A Samsung, maior fabricante de chips de memória do mundo, destacou que verificou a velocidade apenas cinco meses depois de atingir 7,5 Gbps.
Também é 1,3 vezes mais rápido que a DRAM LPDDR5 da empresa, que oferecia uma velocidade máxima de 6,4 Gbps, disse a gigante de tecnologia sul-coreana.
A velocidade mais alta significava que sua DRAM LPDDR5X também poderia ser usada em outros aplicativos além do celular, acrescentou a Samsung.
A demanda por DRAMs LPDDR, ou DRAMs de taxa de dados dupla de baixo consumo de energia, está aumentando em aplicativos de computação de servidor, automotivo e de alto desempenho.
O menor consumo de energia desses chips foi atraente para os consumidores, pois economizam no custo total de propriedade, enfatizou a Samsung.
A empresa disse que aplicou seu próprio design proprietário que melhorou os sinais de entrada/saída, o que minimizou o ruído entre o chip de memória e o processador.
Enquanto isso, o negócio de chips da Samsung deve registrar seus lucros mais baixos em quase três anos no terceiro trimestre.
No início deste mês, a empresa disse que estimou que seu lucro operacional geral no trimestre caiu 31,73% em relação ao ano anterior, o que analistas disseram ter sido causado pela menor demanda por chips de memória.
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