.
A Samsung Electronics supostamente alcançou a rival Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) em design de processador avançado, alcançando rendimentos comparáveis para nós de 4 nm e 3 nm.
Um relatório da Hi Investment and Securities, obtido pela coreana mídia local, coloca os rendimentos de 4 nm da Samsung – a proporção de chips bons e ruins em um wafer – em cerca de 80 por cento. Isso está mais ou menos no mesmo nível do que os observadores da indústria acreditam que a TSMC conseguiu alcançar com seu próprio processo N4.
Mais impressionante, o relatório indica que a Samsung conseguiu atingir rendimentos de 60% em seu nó de 3 nm – o que apenas entrou produção no ano passado.
Isso significaria que a Samsung conseguiu obter rendimentos melhores que os da TSMC. Em abril, os analistas estimaram que os rendimentos de 3 nm da TSMC seriam aproximadamente 55 por cento.
Embora os relatórios de rendimentos de fundição sejam frequentemente especulativos – para dizer o mínimo – se a Samsung conseguiu alcançar e até mesmo exceder a TSMC nesse aspecto, o chaebol coreano deve estar bem posicionado para reconquistar clientes importantes. Isso será particularmente crucial à medida que a demanda por nós de processo de ponta usados para produzir GPUs e outros aceleradores de IA aumenta.
A Samsung perdeu vários clientes importantes para a TSMC no ano passado. Por exemplo, a Nvidia transferiu a produção de suas GPUs de consumo do processo de 8nm da Samsung na geração Ampere – não confundir com a plataforma Ampere da Arm – para 4nm da TSMC para sua Ada Lovelace peças. A Qualcomm também optou para usar a tecnologia de processo TSMC, depois de obter rendimentos ruins no nó de 4nm da Samsung.
Embora os rendimentos baixos não sejam incomuns no início do lançamento de um nó de processo e, normalmente, melhorem à medida que o nó amadurece, vale ressaltar que a Samsung está usando uma tecnologia de transistor relativamente nova para seu processo de 3 nm. Sem dúvida, isso complica as coisas.
A Samsung está entre os primeiros a adotar transistores gate-all-around – às vezes chamados de GaaFET ou ribbonFET – em seu processo de 3nm para aumentar a densidade do transistor empilhando portas de transistor verticalmente em um único canal. Um dos primeiros fabricantes a mostrar a tecnologia foi a IBM com seu nó de processo de 2nm demonstrado em 2021. Em comparação, a TSMC optou por usar transistores FinFET substancialmente mais maduros para seu nó de processo de 3 nm e só abraçar a mais recente tecnologia com o lançamento de seu processo de 2 nm. Em teoria, isso deve reduzir a complexidade dos projetos do TSMC.
Diz-se que a rápida melhoria da Samsung se deve à queda na demanda de semicondutores no ano passado, o que permitiu testes adicionais e tempo de refinamento do processo. Samsung suportou o impacto dessas perdas devido a seus pesados investimentos na fabricação de memória, mas agora parecem estar pagando dividendos.
Operadores de fundição se preparam para lançamento de 2nm
Enquanto a TSMC e a Samsung trabalham para aumentar os rendimentos de seus nós de 3 nm, espera-se que o campo de fundição seja um pouco mais combativo quando a tecnologia de 2 nm começar a chegar ao mercado. Espera-se que peças de dois nanômetros da TSMC e da Samsung entrem em produção em 2025 – começando com chips para dispositivos móveis.
No entanto, como os observadores da indústria em TrendForce apontou em um post recente no blog, os gigantes da fundição enfrentarão a concorrência do Rapidus do Japão, que afirma que começará a testar peças de 2nm em 2025 com produção total em 2027.
Para aqueles que não estão familiarizados, o Rapidus é um participante relativamente novo no espaço da fundição. A iniciante fundição apoiada pelo Estado japonês acumulou financiamento considerável desde que revelou em dezembro passado que começaria a produzir peças de 2nm com base na tecnologia de processo da IBM em 2025, como parte dos planos do país para voltar ao jogo de chips avançados.
No entanto, esses cronogramas assumem que um recente ação judicial – arquivado pela GlobalFoundries contra a IBM sobre a venda de sua tecnologia de processo de 2 nm – não inviabiliza o projeto.
Curiosamente ausente do resumo da TrendForce está a Intel, que também é citada no processo da IBM, e planeja trazer seu nó de processo 20a – o equivalente a 2 nm – ao mercado em 2024. A Intel tem procurado competir com a TSMC desde que o CEO Pat Gelsinger anunciou a formação da Intel Foundry Services (IFS), que lidaria com a fabricação por contrato em 2021, iniciando dezenas de bilhões em investimentos de fundição.
Se a Intel será capaz de aumentar a produção de seus próprios chips antes que a TSMC e a Samsung possam trazer seu kit equivalente ao mercado, será fundamental para os planos de crescimento futuro da gigante do Vale do Silício. ®
.
