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A oferta da Intel para adquirir a operadora israelense de fundição Tower Semiconductor pode ter fracassado, mas isso não significa que eles ainda não possam se estabelecer juntos nos EUA.
Sob um acordo, a Intel fornecerá à Tower acesso à produção de wafer de 300 mm em suas instalações no Novo México. A Tower, por sua vez, gastará US$ 300 milhões na fabricação do kit a ser instalado na fábrica do Fab 11X. As empresas esperam adicionar mais de 600.000 camadas de fotos por mês à nova capacidade.
“Esta colaboração com a Intel nos permite cumprir os roteiros de demanda de nossos clientes, com foco particular em soluções avançadas de gerenciamento de energia e soluções de silício sobre isolador (SOI) de radiofrequência, com qualificação completa do fluxo de processo planejada para 2024”, disse Russell, CEO da Tower. Elwanger.
Especificamente, a Intel planeja fabricar fluxos bipolar-CMOS-DMOS (BCD) de gerenciamento de energia de 65 nanômetros da Tower e chips SOI na fábrica.
Embora a Intel há muito busque silício de ponta para dar suporte a seus datacenters e produtos de PC de consumo, a Tower é especializada em uma gama mais diversificada e madura de tecnologia de processo. A experiência da Tower operando um negócio de fundição e seu amplo portfólio provavelmente contribuíram para a oferta de US$ 5,4 bilhões da Intel para adquirir a operadora.
Esse acordo desmoronou no mês passado, depois que a Intel, enfrentando longos atrasos por conta dos reguladores chineses, concordou em pagar à Tower US$ 353 milhões para rescindir o acordo. Agora parece que grande parte desse dinheiro será reinvestido nas instalações da Intel na forma de equipamentos.
A parceria não deveria ser uma surpresa. Apesar da oferta de aquisição fracassada, uma colaboração foi vista como um dos possíveis caminhos a seguir para a Intel Foundry Services (IFS). Analista do Gartner Gaurav Gupta destacado a oportunidade em uma entrevista com Strong The One em agosto.
As aspirações do IPO da Arm ficam muito aquém das expectativas
O IPO iminente da Arm Holding provavelmente obterá uma avaliação muito menor do que o esperado, de acordo com um documento regulatório terça-feira.
O documento mostra A Arm oferecerá 95.500.000 ações entre US$ 47 e US$ 51 cada, levantando mais de US$ 4,87 bilhões no processo.
O Softbank, que adquiriu o designer britânico de chips em 2016 pela quantia de US$ 32 bilhões, manterá uma participação de 89,9-90,6 por cento na empresa, colocando o limite superior da avaliação da Arm em US$ 52 bilhões. Isso é muito menos do que os US$ 64 bilhões que o Softbank avaliou a empresa quando adquirido a participação de 25% na Arm detida pelo Vision Fund no mês passado por US$ 16 bilhões.
O documento revela que AMD, Apple, Cadence, Google, Intel, MediaTek, Nvidia, Samsung Electronics, Synopsys e TSMC deverão comprar coletivamente US$ 735 milhões, ou 14,4-15,6 milhões de ações.
“Se houver um cliente potencial que venha para a Intel e esteja usando seu Intel 16, ou Intel 3, ou 18A [process nodes]e eles também querem algum outro material especial ou nós legados, eles poderiam trazê-los de outra fundição – digamos Tower ou de outra pessoa – e então a Intel pode montá-los através de seus chips”, disse Gupta.
A escolha de Rio Rancho como local para a colaboração Tower da Intel parece reforçar essa ideia. No início de 2021, não muito depois de Pat Gelsinger destituir o ex-presidente-executivo Bob Swan, a Intel investido US$ 3,5 bilhões para atualizar a instalação para produzir chips usando seu Foveros tecnologia de embalagens.
Foveros permite que os blocos de computação sejam empilhados verticalmente em vez de lado a lado, como é o caso da tecnologia EMIB (multi-die interconnect bridge) incorporada da Intel, que já está em desenvolvimento nas instalações. Entre as primeiras aplicações que vimos de Foveros está no Ponte Vecchio GPU Max da Intel Series de aceleradores.
Esta não é a primeira colaboração que a IFS firmou nos últimos tempos. Mês passado Intel anunciado ela estava trabalhando com a Synopsys para desenvolver novos produtos IP e oferecer suporte a sistemas multi-die construídos em nós de processo Intel 3 e 18A. ®
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