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A Samsung disse na quinta-feira que iniciou a produção em massa de sua DRAM de taxa de dados dupla 5 (DDR5) feita com um nó de processo de classe de 12 nanômetros (nm). A gigante da tecnologia anunciou o desenvolvimento da DRAM DDR5 de 16 Gb em dezembro do ano passado.
O início da produção em massa da DRAM de 12nm, que a torna a mais avançada entre as DRAMs disponíveis, em um momento em que a indústria de chips de memória passa por uma retração, mostra que a Samsung, maior fabricante mundial de chips de memória, pretende manter a liderança no setor e muito mais.
Segundo a Samsung, o novo chip, em comparação com a geração anterior, teve o consumo de energia reduzido em 23%, enquanto a produtividade do wafer aumentou em 20%, o que significa que 20% a mais de chips podem ser produzidos a partir de um único wafer, pois o chip é menor do que a geração anterior.
A gigante da tecnologia disse que o consumo reduzido de energia da DRAM DDR5 de 16 Gb permitirá que os operadores de servidores e data centers reduzam seu consumo de energia e pegada de carbono.
O chip também tem velocidade máxima de 7,2 Gbps, o que significa que pode processar 60 GB em cerca de um segundo, e é voltado para data centers, IA e novos aplicativos de computação.
O nó de 12 nm foi alcançado graças ao uso pela Samsung de um novo material high-k que permite ao chip distinguir com precisão as diferenças nos sinais de dados.
A compatibilidade da DRAM com a AMD já foi verificada em dezembro e a Samsung disse que está colaborando com mais empresas globais de TI no momento.
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