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Uma equipe de pesquisa implementou um novo método para atingir o crescimento epitaxial de materiais metálicos 1D com uma largura de menos de 1 nm. O grupo aplicou esse processo para desenvolver uma nova estrutura para circuitos lógicos semicondutores 2D. Notavelmente, eles usaram os metais 1D como um eletrodo de porta do transistor ultraminiaturizado.
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