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Samsung sonha com chips de 2 nm em 2025, 1,4 nm em 2027

A Samsung espera ter chips de 2 nm em produção em massa até 2025 e planeja entregar produção em massa usando um processo de 1,4 nm até 2027, com o objetivo de expandir a capacidade de tais nós de processo avançados “em mais de 3X”.

Os planos foram detalhados pela gigante coreana de eletrônicos em seu evento anual Samsung Foundry Forum em San Jose, Califórnia, onde a empresa disse que continuará visando mercados de semicondutores de alto desempenho e baixa potência, como HPC, automotivo , 5G e a Internet das Coisas (IoT).

No início deste ano, a Samsung iniciou a produção em massa usando sua tecnologia de processo de 3nm, alegando na época ter derrotado o rival TSMC. Ele estará aprimorando sua arquitetura de transistor gate-all-around (GAA) para entregar seu processo de 2 nm em 2025 e iniciar a produção usando um processo de 1,4 nm até 2027.

No entanto, o TSMC está em alta Os saltos da Samsung, anunciando há alguns meses que planejava iniciar a produção em volume de silício de 3 nm usando seu processo N3 em setembro. A TSMC também espera iniciar a produção de seu processo N2 de 2 nm em 2025.

Enquanto isso, a Samsung descreveu como precisaria tomar medidas para atender aos requisitos previstos dos clientes, incluindo otimização de tecnologia de processo para aplicativos específicos e serviços personalizados.

“A meta de desenvolvimento de tecnologia até 1,4 nm e plataformas de fundição especializadas para cada aplicação, juntamente com fornecimento estável por meio de investimento consistente, fazem parte das estratégias da Samsung para garantir a confiança e o suporte dos clientes seu sucesso”, disse Si-young Choi, presidente e chefe de negócios de fundição. diversificando seu processo de 4 nm existente especializado para aplicações automotivas e HPC.

Para clientes automotivos, a Samsung está atualmente fornecendo soluções de memória não volátil (eNVM) incorporadas construídas com tecnologia de 28 nm. Até 2024, a empresa planeja adicionar soluções de 14nm eNVM ao mix, com 8nm eNVM já em andamento para o futuro.

A gigante da eletrônica também disse que pretende expandir a capacidade de produção para os mais avançados nós de processo seguindo uma estratégia de investimento “Shell-First”. Isso exigirá a construção de salas limpas primeiro, independentemente das condições do mercado, o que permitirá que o equipamento de fabricação seja instalado rapidamente de acordo com a demanda em uma data posterior.

A Samsung disse que, até 2027, pretende ter alargado a capacidade de produção em mais de três vezes face a este ano, esperando-se que a nova estratégia de construção lhe permita responder melhor à procura do mercado.

O vice-presidente sênior da empresa, Moonsoo Kang, disse aos participantes que a Samsung pretende triplicar sua receita de fabricação por contrato usando suas fundições no mesmo período.

As linhas de produção de fundição da Samsung estão atualmente em cinco locais ions: Giheung, Hwaseong e Pyeongtaek na Coréia, e um em Austin, Texas, com outro em construção na cidade vizinha de Taylor.

Os planos da Samsung surgem em um momento em que a indústria de semicondutores enfrenta uma desaceleração, com fabricantes de dispositivos cortando pedidos em resposta à diminuição da demanda do consumidor à medida que as perspectivas econômicas pioram.

Richard Gordon, vice-presidente de semicondutores e eletrônicos do Gartner, nos disse que o crescimento total do mercado de semicondutores para 2022 será em um dígito baixo devido a uma queda no preço da memória (DRAM e NAND) causada pela demanda de mercado enfraquecida em PCs e smartphones.

“Já estamos vendo retrocessos no capex anunciado como semiempresas ( especialmente memória) tente diminuir a saída. Isso retardará a adição de nova capacidade de fabricação à medida que os fornecedores tentam alinhá-la a uma recuperação no mercado a partir de 2024 e acelerando em 2025”, disse Gordon.

Essa recuperação deve estar alinhada com a introdução da Samsung Chips de 2nm, se a empresa tiver a sorte de acertar o tempo certo.

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